HXY2301CI_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:2.5A 参数2：VDSS:20V 参数3：RDON:100mR 参数4：VGS:12V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该P沟道场效应管具备20V漏源电压（VDSS）和12V栅源电压（VGS），持续漏极电流为2.5A，导通电阻典型值为100mΩ。较低的RDSON有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。适用于便携式电子设备、电池供电系统、电源开关电路及负载管理模块中的电压控制。20V耐压适配中低电压工作环境，12V栅压可兼容多种驱动电路，实现稳定可靠的开关功能。器件在直流电机控制、电源逆变及同步整流等场景中具备良好表现，满足高密度电路设计对小型化与高效能的需求。
