HXYS120N65MPI_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:15mR 参数4：VGS:15V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备650V漏源电压（VDSS）和120A连续漏极电流（ID），导通电阻低至15mΩ，栅源电压为15V，适用于高功率密度电源转换系统。采用碳化硅材料，具有优异的高频开关能力与热导性能，可显著降低开关损耗与温升。器件适用于高效直流-直流变换器、高压逆变装置、储能系统中的功率调节模块以及大功率开关电源设计。其快速体二极管响应与高耐压特性，有助于提升系统能效与动态响应能力，适合对电气性能和长期稳定性要求较高的应用场景。
