HXY1216BF_DFN2X2B-6L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN2X2B-6L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:16A 参数2：VDSS:15V 参数3：RDON:11mR 参数4：VGS:12V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这是一款P沟道场效应管，具有15V的漏源电压（VDSS）和12V的栅源电压（VGS）能力，适用于中低电压开关场景。其连续漏极电流（ID）可达16A，导通电阻（RDON）低至11mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统效率。低RDON特性使其在大电流应用中发热量较小，工作稳定。该器件适用于电源管理、电池供电设备、负载开关以及各类直流电源控制电路，适合对导通损耗敏感的高效率设计需求，是理想的功率开关选择。
