HXY3401BMI_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:4.2A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:41mR 参数4：VGS:12V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该P沟道场效应管具有30V的漏源电压（VDSS）和12V的栅源电压（VGS），连续漏极电流可达4.2A，导通电阻低至41mΩ。低RDON有助于减少功率损耗，提升系统效率。适用于各类直流电源管理电路、负载开关控制及电池供电设备中的功率切换应用。器件具备良好的热稳定性和开关特性，适合在紧凑型电子设备中实现高效的反向电流阻断与电源路径管理，满足高性能数字系统对电源模块小型化与低功耗的设计需求。
