HESDUC5VU1AF-B_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:4A 参数2：VRWM:5V 参数3：CJ:0.4pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该器件为单通道单向静电与浪涌保护元件，具备5V的反向截止电压（VRWM），可承受4A的峰值脉冲电流（IPP），结电容低至0.4pF。低电容特性使其适用于高速信号线路保护，有效抑制静电放电（ESD）及瞬态浪涌干扰。典型应用场景包括便携式电子设备的接口防护，如USB、HDMI及音频线路，确保敏感电路在瞬态过压条件下稳定工作。器件响应速度快，漏电流低，符合高速信号完整性要求。
