HXYG50N10D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:50A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:14.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有100V漏源电压（VDSS）和50A连续漏极电流（ID），在20V栅源电压下导通电阻低至14.5mΩ，具备优异的载流能力与低导通损耗特性。采用先进沟槽技术，优化了开关速度与热性能，适用于高效率直流-直流转换器、同步整流模块及大电流电源管理系统。器件可有效降低功率损耗，提升系统能效，广泛用于通信设备电源、高密度便携式充电装置及高性能计算平台的电压调节单元，满足对小型化与高可靠性要求较高的应用场景。
