HESDHC5VU1AF-A_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:15A 参数2：VRWM:5V 参数3：CJ:150pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该器件为单通道单向静电与浪涌保护二极管，具备15A的峰值脉冲电流承受能力，可有效抑制瞬态过电压。其反向工作电压为5V，结电容低至150pF，有助于减少信号失真，适用于高速数据线路的保护。器件在正常工作状态下呈现低漏电流特性，当遭遇静电放电或浪涌事件时，能迅速钳位电压，将瞬态能量泄放，从而保护后级敏感电路。典型应用包括通信接口、便携式电子设备及信号线路的过压防护。
