HXYT40N65MP_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：集电极电流(Ic):40A 参数2：集射极击穿电压(Vces):650V 参数3：集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V 参数4：二极管正向电流(IF):40A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT具备650V集射极击穿电压（Vces），可承受较高电压应力，适用于中高功率开关应用。在导通状态下，集电极电流（Ic）可达40A，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于降低导通损耗。内置反并联二极管，正向电流（If）同样为40A，正向压降（Vf）1.8V，支持高效续流功能。器件适用于高频逆变、开关电源、电机驱动等电力电子电路，作为核心开关元件，实现电能的精确控制与高效转换，满足对功率密度与系统效率有要求的设备设计需求。
