HXYT75N120MPC_TO-247PC_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247PC 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：集电极电流(Ic):75A 参数2：集射极击穿电压(Vces):1200V 参数3：集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V 参数4：二极管正向电流(IF):75A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT具有1200V集射极击穿电压（Vces），可耐受高电压工况，适用于高功率开关电路。其集电极电流（Ic）可达75A，集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.9V，有助于在大电流工作条件下控制导通损耗。集成的反并联二极管具备75A正向电流（If）能力，正向压降（Vf）为1.9V，支持高效续流操作。器件适用于大功率逆变、高压直流转换、开关电源及电机控制等应用场景，作为关键功率开关元件，实现电能的可靠切换与高效传输，满足高电压、大电流系统对稳定性和效率的设计要求。
