HESDUC3V3B1GF-A_DFN0603-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN0603-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:8A 参数2：VRWM:3.3V 参数3：CJ:0.35pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该TVS二极管为单通道双向设计，反向工作电压（VRWM）为3.3V，适用于低电压信号线路的过压防护。其结电容低至0.35pF，可最大限度减少对高速信号完整性的影响，确保数据传输稳定性。器件能承受8A的峰值脉冲电流（IPP），具备优异的瞬态浪涌吸收能力。双向（Bi）结构可对正负极性瞬态电压提供对称保护，适用于USB接口、音频线路、传感器信号线等对ESD敏感的便携式电子设备电路保护。
