HXYS5N170MP_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:5A 参数2：VDSS:1700V 参数3：RDON:1000mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有1700V的漏源电压（VDSS），适用于高电压隔离与功率转换应用。其导通电阻（RDON）为1000mΩ，在同类小电流器件中具备良好的导通性能。连续漏极电流（ID）为5A，适合中等功率级别的电路设计。栅源电压范围±20V，兼容主流驱动电路。基于碳化硅材料的特性，该器件表现出优异的耐压能力与开关速度，常用于高压电源系统、高效能DC-DC变换器、可再生能源发电设备中的功率调节模块以及对体积和效率有要求的紧凑型电力电子装置。
