HXY4N50P_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:4.5A 参数2：VDSS:500V 参数3：RDON:1200mR 参数4：VGS:30V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有500V的漏源击穿电压（VDSS）和30V的栅源电压（VGS），持续漏极电流为4.5A，导通电阻为1200mΩ。较高的电压耐受能力使其适用于高压开关场景，能够稳定工作在较高的直流电压环境下。器件在电源管理电路中常用于实现高效的开关控制，典型应用包括开关模式电源、DC-AC逆变器、LED照明驱动电源以及高电压降压转换电路，适合对电气隔离与工作稳定性有一定要求的中功率电子系统设计。
