HESDUC3V3B1GF-B_DFN0603-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN0603-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：15000/圆盘 参数1：IPP:4A 参数2：VRWM:3.3V 参数3：CJ:0.55pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该ESD保护二极管为单通道双向结构，反向工作电压（VRWM）为3.3V，适用于低电压信号线路的瞬态电压防护。其结电容为0.55pF，能够在多数高速信号接口中保持良好的信号完整性。器件可承受4A的峰值脉冲电流（IPP），具备较强的瞬态能量吸收能力，能有效抑制静电放电和浪涌事件。双向（Bi）设计使其可对正负极性过压提供对称钳位保护，常用于消费类电子设备中的数据线、触摸屏信号线及音频接口等敏感电路的过压防护。
