HXY3020GD_TO-252-4L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-4L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:18mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该场效应管采用NP沟道设计，具备20A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS），适用于中等功率电源管理场景。其导通电阻低至18mΩ（RDON），有助于减少导通损耗，提升系统能效。栅源电压最大支持±20V（VGS），具备较好的驱动兼容性。N沟道与P沟道集成设计便于实现双向控制与互补开关功能，适用于直流-直流转换、负载开关、电源冗余及便携式设备中的电源管理电路，满足对空间与效率有要求的应用需求。
