HXYS68N120MP_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:68A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅场效应管为N沟道增强型器件，具有1200V的漏源击穿电压（VDSS）和68A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至40mΩ。采用碳化硅材料，具备优异的高温稳定性、高击穿场强和低开关损耗特性，适用于高电压、高功率密度的电力电子系统。典型应用涵盖大功率DC-DC变换器、不间断电源（UPS）、储能系统中的功率转换模块、光伏逆变器以及对能效和散热要求较高的高频电源设计，有助于提升系统效率并减少外围元件体积。
