HESDHC3V3U2I-C_SOT-23_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：IPP:18A 参数2：VRWM:3.3V 参数3：CJ:200pF 参数4：LINE:2-channel 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该TVS二极管阵列为双通道单向设计，适用于直流供电或单极性信号线路的过压防护。反向工作电压（VRWM）为3.3V，适合低电压工作环境；18A的峰值脉冲电流（IPP）能力可有效泄放瞬态能量。结电容典型值为200pF，适用于对电容要求不苛刻的中低速信号接口。器件通过快速箝位过电压，保护后续电路免受静电放电和浪涌冲击损害，常用于数据通信端口、外设连接器及消费类电子设备内部敏感电路的可靠性防护设计。
