HXYS40N120MP_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:40A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:60mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅场效应管为N沟道增强型器件，具备1200V的漏源击穿电压（VDSS），可持续通过40A漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为60mΩ。基于碳化硅材料特性，器件具有高耐压、低导通损耗和优异的高温工作能力，适用于高效率、高频率的电力转换场景。典型应用包括大功率开关电源、高压DC-DC变换器、可再生能源发电中的逆变装置、储能系统的功率转换单元，以及对系统热性能和空间布局要求较高的紧凑型高功率密度设计，有助于提升整体能效并降低散热负担。
