HXYS125N120Q_SOT-227_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-227 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：12/管装 参数1：ID:125A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:15mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备1200V的漏源击穿电压，可持续通过125A的漏极电流，导通电阻低至15毫欧。得益于碳化硅材料优异的物理特性，器件具有出色的耐压能力与导通性能，开关速度快，能够实现高频、高效的能量转换。适用于高功率密度电源转换系统，在高压直流变换、逆变输出及功率因数校正等电路中表现出较低的损耗与较高的热稳定性，可提升整体系统能效与可靠性。
