HESDHC12VU2RF-A_DFN2X2-3L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN2X2-3L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：IPP:180A 参数2：VRWM:12V 参数3：CJ:1300pF 参数4：LINE:2-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该TVS阵列为双通道单向设计，适用于直流或单极性信号线路的瞬态防护。工作反向截止电压为12V，可兼容多种中低电压供电系统；在8/20μs电流波形下，峰值脉冲电流达180A，具备较强的浪涌抑制能力。结电容典型值为1300pF，适合用于对信号带宽要求适中的接口电路。单向击穿特性有效应对正向过压与反向瞬态干扰，常用于电源端口、数据线及敏感电子设备输入级的静电与雷击防护。
