HXYS29N65MP_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:29A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:60mR 参数4：VGS:15V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压额定值，连续漏极电流为29A，导通电阻为60mΩ，在15V栅源电压下可实现稳定驱动。依托碳化硅材料优势，器件具备低开关损耗与优异的高温工作性能，适用于高频、高效率的电力转换电路。典型应用涵盖通信电源、服务器电源模块、光伏逆变单元及高功率密度DC-DC变换器，适合对热管理、能效和系统可靠性有较高要求的电力电子设计场景。
