HXYS49N65MP_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:49A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:33mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源击穿电压，连续漏极电流可达49A，导通电阻低至33mΩ，适用于高效率功率转换设计。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的开关性能与高温工作能力，可有效降低系统能量损耗。广泛用于高密度电源、可再生能源逆变装置及高性能电力变换设备中，适合对热管理与电气性能有严苛要求的应用场景。
