HESDNC5VU1AF-A_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:7A 参数2：VRWM:5V 参数3：CJ:80pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该器件为单通道单向ESD保护二极管，专为高速信号线路设计。其反向工作电压VRWM为5V，满足低电压接口的防护需求；结电容CJ典型值80pF，可有效减少信号失真。在8/20μs电流波形下，最大峰值脉冲电流IPP可达7A，具备优异的瞬态浪涌吸收能力。采用紧凑型封装，适用于便携式设备与通信模块中的数据端口保护，如USB、HDMI及音频接口等，能可靠抑制静电放电与电感耦合引起的过电压事件，保障敏感电路稳定运行。
