HXY30G20NF_DFN5X6B-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6B-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:16A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:14mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该场效应管为NP沟道组合型器件，具备16A的漏极电流（ID）和30V的漏源耐压（VDSS），适用于中低电压功率切换应用。其导通电阻低至14mΩ（RDON），可有效降低导通损耗，提高电源转换效率。栅源电压范围达±20V（VGS），具备良好的驱动兼容性与稳定性。N沟道与P沟道集成结构支持对称开关控制与双向电流管理，常用于同步整流、电源路径切换、电池供电设备的电源管理模块以及高性能DC-DC变换电路，适合对能效和封装密度有要求的设计场景。
