HESDUC3V3U1AF-A_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:4A 参数2：VRWM:3.3V 参数3：CJ:0.4pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该单向TVS二极管具有3.3V的反向工作电压（VRWM），可承受4A的峰值脉冲电流（IPP），结电容低至0.4pF，适用于单通道信号线路保护。其超低结电容特性对高频信号传输影响极小，能有效抑制静电放电及瞬态电压冲击，同时避免信号失真。常用于高速数据接口、射频电路、便携式电子设备的敏感信号线防护，适用于对信号完整性和响应速度要求较高的应用场景，确保低电压工作电路在复杂电磁环境下的持续稳定运行。
