HXYS3N150PF_TO-3PF_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-3PF 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:3.7A 参数2：VDSS:1500V 参数3：RDON:1000mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具有1500V的漏源电压（VDSS）和20V的栅源电压（VGS）能力，适用于高电压开关场景。其导通电阻（RDON）为1000mΩ，在同类器件中具备良好的导通特性。连续漏极电流（ID）可达3.7A，支持较高功率负载的稳定运行。器件结合高电压耐受与可靠导通性能，适用于电源转换、高压直流控制及功率调节等电路，作为开关元件用于各类高效率、高可靠性要求的电子设备中，满足对小型化与高性能兼顾的设计需求。
