HXYT75N120MPI_TO-247P-4L_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247P-4L 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：集电极电流(Ic):75A 参数2：集射极击穿电压(Vces):1200V 参数3：集射极饱和电压(VCE(sat)):1.91V 参数4：二极管正向电流(IF):75A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块额定集电极电流为75A，集射极击穿电压达1200V，适用于高电压开关应用。其集射极饱和电压为1.91V，内置反并联二极管具备75A正向电流能力，正向压降为1.8V，可有效支持续流与能量回馈。器件在高耐压条件下具备稳定的电流切换性能，适用于高压逆变、直流电源转换及大功率电力调节系统，能够满足对电压安全裕度和长期运行可靠性要求较高的电路设计需求。
