HXYT50N65MP_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：集电极电流(Ic):50A 参数2：集射极击穿电压(Vces):650V 参数3：集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V 参数4：二极管正向电流(IF):50A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块额定集电极电流为50A，集射极击穿电压为650V，适用于中高压功率转换应用。其集射极饱和电压为1.6V，在高负载条件下具备较低的导通损耗，有利于提高系统整体效率。模块集成反并联二极管，可承受50A正向电流，二极管正向压降为1.85V，支持高效续流操作。器件具有良好的热稳定性和开关特性，适用于大功率开关电源、不间断电源系统、可再生能源逆变装置及大电流驱动电路，能够满足高频开关与高功率密度设计需求，适用于对效率与可靠性要求较高的电力电子拓扑结构。
