HXYS78N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:78A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：VGS:18V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有1200V的高漏源击穿电压（VDSS）和78A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至40mΩ，支持最高18V的栅源电压（VGS）。基于碳化硅材料的特性，器件具备优异的耐压性能和导通效率，适用于高功率密度的开关电源、直流变换器及高压逆变电路。其快速开关特性有助于减少能量损耗，提升系统整体能效，适合在高频、高温等严苛条件下稳定运行，是高压功率转换应用中的关键元件。
