HXYG70N10D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:8.2mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这是一款N沟道场效应管（MOSFET），具有100V的漏源电压（VDSS）和20V的栅源电压（VGS）能力，适用于中高功率开关场景。其连续漏极电流可达70A，导通电阻低至8.2mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统效率。低RDON特性使其在大电流应用中具备良好的热稳定性。该器件适用于高效率电源转换、直流电机驱动、同步整流以及负载开关等电路，满足对功率密度和能效有较高要求的设计需求，是理想的中压功率开关解决方案。
