HXYT30N135MP_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：IGBT管/模块 最小包装：30/管装 参数1：集电极电流(Ic):30A 参数2：集射极击穿电压(Vces):1350V 参数3：集射极饱和电压(VCE(sat)):1.65V 参数4：二极管正向电流(IF):30A 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该IGBT模块具备30A的集电极电流承载能力，集射极击穿电压高达1350V，适用于高电压与大功率转换场合。其集射极饱和电压为1.65V，在额定工况下导通损耗较低，有助于提升系统能效。内置反并联二极管具有30A正向电流能力，正向压降为1.85V，可有效支持续流需求。器件适用于开关电源、逆变装置、电机驱动以及能量回馈系统中的功率控制，能够在高频开关与大电流条件下稳定工作，满足对热稳定性与电气可靠性要求较高的应用设计。
