HESDNC3VU2I-B_SOT-23_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：IPP:2.76A 参数2：VRWM:3V 参数3：LINE:2-channel 参数4：TYPE:Uni 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电与浪涌保护器件为双通道单向设计，适用于多线路信号保护。其反向工作电压（VRWM）为3V，适用于低电压工作环境，最大通流能力（IPP）为2.76A，可有效吸收瞬态能量。双通道结构集成两个独立的单向TVS单元，能分别对两条信号线提供定向过压保护，防止静电放电（ESD）和电性快速瞬时（EFT）等干扰。器件响应速度快，钳位电压低，常用于便携式电子产品中的数据接口、音频线路或传感器信号路径的防护，确保低电压敏感电路在复杂电磁环境下的正常运行。
