HXYS49N65MPI_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:49A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:33mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅N沟道场效应管具有650V的漏源电压VDSS和49A的连续漏极电流ID，导通电阻RDON低至33mΩ，有效降低导通损耗，提升系统效率。基于碳化硅材料的优异特性，器件具备更高的开关频率与耐温能力，适用于高功率密度电源系统。其主要应用于高效直流电源转换、高压开关电源、储能系统能量变换、可再生能源发电模块及高性能电源适配器等场景，能够满足对能效、热管理与空间利用率有较高要求的电路设计需求，是实现高频、高效功率转换的关键元件。
