HXYS120N65MP_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:15mR 参数4：VGS:15V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压额定值，最大连续漏极电流达120A，导通电阻低至15mΩ，在15V栅源电压下可实现充分导通。采用碳化硅材料，具备优异的高频开关能力与热稳定性，显著降低导通和开关损耗。其低寄生电感封装设计有助于提升开关速度，减少电压过冲。适用于高效率电源转换装置，如大功率DC-DC变换器、不间断电源、可再生能源发电逆变系统及高密度功率因数校正电路，适合对能效、功率密度和系统可靠性有较高要求的应用场景。
