HESDHC4V5B1HF-A_DFN1610-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1610-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：IPP:160A 参数2：VRWM:4.5V 参数3：CJ:300pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电和浪涌保护器件为单通道双向设计，工作反向关态电压为4.5V，适用于低电压信号线路的防护。其结电容典型值为300pF，对信号完整性影响较小，适合传输速率较高的接口。峰值脉冲电流可达160A（8/20μs波形），具备较强的瞬态能量吸收能力。双向结构可同时抑制正负极性瞬变，有效抑制静电放电（ESD）及电快速瞬变脉冲群。常用于数据通信端口、便携设备接口及敏感电子电路中，提供可靠的过压保护与系统稳定性。
