HXY11N40P_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:11A 参数2：VDSS:400V 参数3：RDON:360mR 参数4：VGS:30V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备400V漏源耐压（VDSS）和30V栅源电压范围（VGS），持续漏极电流可达11A，导通电阻低至360mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。器件在高频率开关条件下表现出良好的稳定性，适用于中高功率电源管理系统。常见于开关电源、逆变电路、LED驱动电源及电池供电设备的功率转换模块，作为核心开关元件实现高效的电能变换与控制，满足对热性能和电气可靠性要求较高的设计需求。
