HXYS68N120T6_TO-263-7L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263-7L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:68A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备1200V的漏源击穿电压，连续漏极电流达68A，导通电阻为40mΩ，适用于高电压、大电流的功率转换场合。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的开关速度与高温稳定性，可显著提升系统能效并减少散热需求。典型应用包括高压直流变换器、大功率逆变装置、储能系统中的电力调节模块以及对空间和效率有较高要求的电源解决方案。
