HESDLC5VB1AF-C_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:3A 参数2：VRWM:5V 参数3：CJ:5.5pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该器件为单通道双向静电与浪涌保护二极管，具备5V的反向截止电压（VRWM），可耐受3A的峰值脉冲电流（IPP），结电容典型值低至5.5pF。低电容特性使其适用于高速信号线路保护，有效抑制静电放电（ESD）及瞬态浪涌干扰。双向结构可应对正负极性瞬变脉冲，确保信号完整性与后级电路安全，典型应用包括高速数据接口、通信端口及敏感电子设备的瞬态电压防护。
