HXY25N04D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:25A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:18mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这是一款N沟道场效应管（MOSFET），具有40V的漏源电压（VDSS）和25A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为18mΩ。较低的RDON有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。该器件适用于中等电压功率开关应用，可用于DC-DC电源转换模块、电机驱动电路以及电池供电系统的电源管理单元。其性能特点适合对效率和热稳定性有一定要求的电路设计，常用于便携式设备、消费类电子产品及通用电源控制场合，作为高效的开关元件使用。
