HXYS17N120MP_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:17A 参数2：VDSS:1200V 参数3：RDON:160mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具有1200V的高漏源电压（VDSS）和17A的连续漏极电流能力，导通电阻（RDS(on)）低至160mΩ，有助于降低开关与导通损耗。基于碳化硅材料特性，器件支持高频工作，具备优异的耐温与耐压性能。适用于高效率直流变换、不间断电源、太阳能逆变系统及高密度功率转换装置，在严苛工况下仍可保持稳定电学表现，是现代电力电子系统中实现紧凑设计与高效运行的关键组件。
