HESDNC24VB2I-C_SOT-23_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：IPP:3A 参数2：VRWM:24V 参数3：CJ:13pF 参数4：LINE:2-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该器件是一款双通道双向静电与浪涌保护阵列，专为高速信号线路设计。其工作反向截止电压为24V，满足多种中低电压接口的防护需求。在8/20μs电流波形下，通流能力可达3A，具备较强的瞬态能量吸收能力。结电容典型值为13pF，可有效减少对信号完整性的干扰，适用于数据传输速率较高的通信接口。双向设计使其能够应对正负极性瞬态电压冲击，适用于通用电子设备中的接口级保护，如通信模块、消费类电子产品及便携式设备的数据端口防护。
