HESDUC3V3B1GF-C_DFN0603-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN0603-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：15000/圆盘 参数1：IPP:4A 参数2：VRWM:3.3V 参数3：CJ:0.25pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该双向ESD保护二极管专为低电压信号线路设计，具备3.3V的反向工作电压（VRWM）和4A的峰值脉冲电流（IPP）承受能力，可有效抑制静电放电及瞬态浪涌。其结电容低至0.25pF，对高速信号完整性影响极小，适用于高频数据传输接口。单通道结构便于集成于紧凑型电路布局，双向特性可应对正负向瞬态电压冲击。常用于消费类电子设备中的USB、HDMI、音频及射频等敏感线路，为高精度模拟与高速数字电路提供可靠防护。
