HXY70N07P_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:70V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备70V漏源耐压（VDSS）和20V栅源电压范围（VGS），可承载70A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至7.5mΩ，有效降低导通损耗并提升能效。N沟道结构提供优良的开关特性，适用于高频率开关电源、同步整流电路及大电流功率转换系统。其低电阻与高电流能力使其在紧凑型电源设计中具备良好热稳定性，适合用于高性能计算设备、便携式电子设备的电源管理模块以及电池驱动系统中的功率控制应用。
