HXY5N10MIS_SOT-223_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-223 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：1000/圆盘 参数1：ID:5A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:101mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备100V的漏源电压（VDSS）和20V的栅源电压（VGS）耐压能力，适用于中高压开关应用。其连续漏极电流（ID）为5A，导通电阻为101mΩ，在同类器件中具备较好的导通性能。N沟道结构在栅极施加正向电压时导通，适用于低边开关设计。该器件可用于直流电源转换、电机驱动、电池供电设备的控制电路以及各类中等功率开关电源中，满足对开关速度和导通损耗有一定要求的电路设计，适合在紧凑型电子设备中实现高效的电能控制。
