HESDHC18VU2RF-A_DFN2X2-3L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN2X2-3L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：IPP:140A 参数2：VRWM:18V 参数3：CJ:900pF 参数4：LINE:2-channel 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电和浪涌保护器件为单向双通道设计，工作反向电压为18V，适用于保护工作电压相近的敏感电路。其峰值脉冲电流可达140A（8/20μs波形），具备较强的瞬态能量吸收能力，可有效抑制ESD及浪涌冲击。结电容典型值为900pF，适用于对信号完整性要求不极端严苛的中低速接口。器件集成两个独立保护通道，常用于数据线、通信端口及外设接口的过压防护，为电路提供可靠的双向瞬态电压抑制与接地泄放路径，保障后续元件安全运行。
