HESDNC12VU2I-D_SOT-23_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：3000/圆盘 参数1：IPP:1.9A 参数2：VRWM:12V 参数3：LINE:2-channel 参数4：TYPE:Uni 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该静电与浪涌保护器件包含两个独立的单向TVS二极管，适用于双线信号路径的过压防护。其反向工作电压为12V，可兼容多种低电压逻辑电路。单向设计针对正向瞬态过压提供快速响应保护，每个通道可承受最高1.9A的峰值脉冲电流。器件具备低电容特性，适用于高速数据接口，能有效抑制ESD及感应浪涌，保障信号完整性。典型应用于便携式电子设备、通信模块及多路数据传输线路的瞬态电压防护。
