HXY10N10D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:10A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:140mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备100V漏源耐压和140mΩ导通电阻，可承载10A连续漏极电流，适用于中高压开关电路。其±20V栅源电压范围确保驱动可靠性，支持稳定的开关操作。器件在高电压环境下仍能保持较低的开关损耗，适合用于DC-DC升压或降压转换器、电源适配器中的功率控制级以及电池管理系统中的开关模块。良好的热稳定性与耐压能力使其适用于对电源效率和电路安全性有较高要求的通用电子设备。
