HXYY10N65NF_DFN5X6E-8L_氮化镓晶体管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6E-8L 类别：氮化镓晶体管(GaN HEMT) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:10A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该氮化镓晶体管为N沟道增强型高电子迁移率晶体管（HEMT），具备650V的漏源击穿电压（VDSS），可持续通过10A漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至160mΩ。得益于氮化镓材料的高开关速度与低导通损耗特性，该器件适用于高效率、高频率的电源转换系统。典型应用场景包括高性能AC-DC与DC-DC功率变换器、服务器电源模块、可再生能源发电中的逆变装置，以及对功率密度和热性能要求严苛的紧凑型电源设计，有助于提升系统整体能效并减小体积。
