HESDUC3V3B1AF-B_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN1006-2L 类别：静电和浪涌保护(TVS/ESD) 最小包装：10000/圆盘 参数1：IPP:4A 参数2：VRWM:3.3V 参数3：CJ:0.25pF 参数4：LINE:1-channel 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该器件为单通道双向TVS二极管，反向工作电压（VRWM）为3.3V，适用于低电压信号线路的瞬态防护。具备4A的峰值脉冲电流（IPP）和极低的结电容（Cj=0.25pF），在抑制静电放电和浪涌干扰的同时，对高速信号完整性影响极小。双向击穿特性可有效钳制正负极性瞬变电压，常用于保护敏感模拟或数字接口，如通信模块、便携设备的数据端口及高频信号线，防止因瞬态过压导致的功能异常或器件损伤。
