HXY20P02DF_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:20V 参数3：RDON:15mR 参数4：VGS:12V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该P沟道场效应管具有20V漏源耐压（VDSS）和12V栅源电压范围（VGS），可承载20A连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至15mΩ。器件适用于低电压电源管理应用，如便携式电子设备中的负载开关、电池供电系统的反向连接保护电路以及直流电源分配网络中的高边开关设计。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升能效，同时P沟道结构简化了驱动电路设计，在需要简洁可靠开关控制的低压直流系统中具备良好的实用性与稳定性。
