HXYS7N170MP_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:7A 参数2：VDSS:1700V 参数3：RDON:650mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备1700V的高漏源电压（VDSS）和7A的连续漏极电流（ID），导通电阻为650mΩ，适用于高压电源系统。基于碳化硅材料的特性，器件在高电压工作条件下仍能保持良好的开关性能与热稳定性，有效降低开关损耗并提升系统效率。其高耐压能力使其适用于高压直流变换、大功率开关电源及高可靠性电力转换装置，特别适合在空间受限、散热条件严苛的高电压应用场景中实现紧凑化与高效化设计。
